آنالیز و شبیه سازی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور اثر میدان- فلز نیمه هادی

چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش طول گیت بدون کاهش چگالی ناخالصی و ضخامت کانال، عملکرد قطعه بوسیله اثرات کانال کوتاه و عوامل پارازیتی کاهش می یابد. از مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور mesfet می توان به کاهش سد کانال بوسیله ولتاژ درین(dibl) ، شیفت منفی در ولتاژ آستانه ، افزایش هدایت خروجی و کاهش هدایت انتقالی ، افزایش جریان زیر آستانه ، کاهش ولتاژ شکست درین به سورس ، اثر حامل گرم و افزایش مقاومت های پارازیتی سورس ودرین اشاره کرد. در این رساله جهت کاهش اثرات کانال کو تاه در ترانزیستورmesfet، یک ساختار جدید با گیت تو رفته دوبل در طرف درین (ds-drg ) پیشنهاد شده است. این ساختار، با افزایش نسبت طول گیت به پهنای کانال (lg/a)، باعث کاهش اثر dibl می شود. در این ساختار همچنین، کاهش پهنای کانال در زیر گیت نزدیک درین باعث افزایش ولتاژ شکست می شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که افزایش طول گیت تو رفته دوبل در یک ساختار ds-drg در طرف درین باعث کاهش اثر dibl می شود. واژه های کلیدی ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه هادی، اثرات کانال کوتاه، dibl، ترانزیستور mesfet با گیت تورفته دوبل، چگالی ناخالصی کانال زیر گیت.